随着集成电路尺寸的持续微缩，特别是进入亚3nm工艺节点，单纯通过缩小晶体管尺寸带来的性能提升已经逐渐变得困难。传统的二维（2D）芯片面临着“互连延迟”和“面积瓶颈”等挑战，导致继续依赖缩小尺寸来提升性能的道路越来越狭窄。此时，三维集成电路（3D IC）技术的出现，为摩尔定律的延续提供了新的解决思路。相比于传统通过硅通孔（TSV）实现的芯片堆叠封装，单片集成三维集成电路（Monolithic 3D IC, M3D）凭借其纳米级的垂直互连密度，成为了实现后摩尔时代高算力、低功耗系统的关键技术之一。
一款 32GB 双层三维堆叠非易失性铁电存储器，具备近 DRAM 性能
课题组侧重点与优势
参考文献
1.S. Mueller et al., “Ferroelectric Hafnia: A New Age for FRAM has Started,” 2024 22nd Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS), Busan, Korea, Republic of, 2024, pp. 1-6, doi: 10.1109/IEEECONF63530.2024.10830895. keywords: {Low voltage;Nonvolatile memory;Ferroelectric films;Electronics industry;Capacitors;Random access memory;Production;Lead zirconate titanate;FRAM;DRAM;stacked FRAM;${HfO}_{2}$;hafnia;embedded memory;standalone memory;coercive voltage},