Wang Xuebin

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姓名：王学彬

成员身份：博士研究生

邮箱：xuebin.wang@bit.edu.cn                                       

研究领域

  1. 新型氧化物半导体器件制备；
  2. 氧化物半导体器件紧凑模型开发；
  3. 存储电路设计；

教育经历

2019-2023 北京工业大学 电子科学与技术 本科

2023-至今 北京理工大学 集成电路科学与工程 博士研究生

学术成果

  1. X. Wang et al., “A Simulation Comparison of Channel-All-Around and Gate-All-Around 3D Vertical Structure FeFET with IGZO Channel,” 2024 IEEE 17th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT), Zhuhai, China, 2024, pp. 1-3, doi: 10.1109/ICSICT62049.2024.10830976.
  2. X. Wang et al., “A Physics-Based Compact Model for IGZO Channel FET Toward Subthreshold Characteristic Dependent Memory Application,” in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 72, no. 5, pp. 2390-2398, May 2025, doi: 10.1109/TED.2025.3549745.
  3. Xuebin Wang, Zhuo Li, Guanhua Yang, Masaharu Kobayashi, Fei Mo*, Yeliang Wang*, “Physical Modeling of Oxide-Semiconductor-Channel FeFETs for Content Addressable Memory Circuit Simulation,” 2025 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, Japan, 2025, pp.101-102, doi: https://doi.org/10.7567/SSDM.2025.B-2-03.
  4. 申请国家专利一项，“一种铁电场效应晶体管及其制备方法”，专利号：202510402684.6.

竞赛经历

  1. 第八届华为杯中国研究生创“芯”大赛                                            团队优秀奖(省级)

荣誉奖励

1、2020年至2022年连续三年获得校级学习优秀奖学金

2、2021年至2022年连续两年获得国家励志奖学金

3、2023年获得北京工业大学荣誉学士学位

4、2023年至2025年连续三年获得博士研究生学业奖学金

5、获得2025年北京理工大学优秀学生荣誉奖励

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