研究领域

1. OS-FeFET
2. 半导体器件建模与仿真
3. 铁电存储

教育经历

2020-2024 中国地质大学（北京） 测控技术与仪器 本科

2024-至今  北京理工大学 集成电路科学与工程 博士

学术成果

1.  Z. Guo, G. Yang, F. Mo, Y. Wang., Simulation study of IGZO (with CuOx)/Si Complementary Ferroelectric FET (CFeFET) for Multi-bit Content Addressable Memory, in 2026 10th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM).;

2.  X. Wang, Z. Guo, F. Mo, Y. Wang et al., “A Simulation Comparison of Channel-All-Around and Gate-All-Around 3D Vertical Structure FeFET with IGZO Channel,” 2024 IEEE 17th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT), Zhuhai, China, 2024, pp. 1-3, doi: 10.1109/ICSICT62049.2024.10830976.

竞赛经历

1. 2022 年北京市大学生集成电路设计竞赛（数字组）                                   北京市一等奖
2. 2022 年北京市大学生集成电路设计竞赛（数字组）                                   北京市二等奖
3. 2022年北京市大学生电子设计竞赛二等奖                                            北京市二等奖
4. 第十四届蓝桥杯（EDA 设计与开发组）                                        北京市二等奖
5. 第三届全国仪器类毕业设计大赛                                                 全国三等奖

荣誉奖励

1、2025 CAD-TFT会议 最佳海报奖